工业大容量真空等离子清洗机
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等离子体介绍
1.1 等离子体反应机理
等离子体反应机理是通过电场激发气体电离，产生高能电子和活性粒子（如自由基、离子），引发物理轰击与化学反应的综合作用。高能电子碰撞气体分子使其解离或电离，生成活性基团（如 O、H等），这些活性基团与产品表面发生氧化还原、分解等反应，最终转化为CO₂、H₂O等无害物质。该过程兼具高效性和环保性，广泛用于材料清洁、表面改性废气处理等领域。
1.2 等离子清洗的作用
（A）对材料表面的刻蚀作用--物理作用
高能离子（ 如 Ar+ ） 轰击表面 ，通过动量传递剥离污 染物及弱结合层，形成微米级粗糙结构（ 比表面积提升 5- 10 倍），显著增强表面润湿性。
（B）激活键能， 交联作用
等离子体粒子能量（ 0-20eV）超过聚合物键能（ 0-10eV）， 可断裂 C-H 、C-C 等化学键 ，诱导表面分子链 重组形成三维交联网络 ，提升材料机械强度及耐热性， 并大大地激活了表面活性。
（C）形成新的官能团--化学作用
反应性气体（如O₂、NH₃）电离产生活性自由基，与材料表面发生氧化/氨基化反应，引入-COOH、-OH等官能团。例如氧气等离子体可使PET表面生成亲水基团，接触角从90°降至20°。
2.1 设备工作原理
TSPL200MA真空等离子清洗机通过真空腔体（抽至0.15-0.3mbar）与高频等离子电源协同工作，将气体电离生成高活性等离子体。在低温环境下（接近室温），等离子体释放蓝紫色辉光（氧气显蓝色、氩气呈深紫），其高能粒子与材料表面发生物理轰击及化学反应，精准实现表面清洁、活化、蚀刻等改性效果，赋予材料亲水性、疏水性或低摩擦特性。智能控制系统与气路系统确保工艺稳定，适用于复杂三维结构的高效处理。
2.2 设备特点
（A）高效清洁与深度活化
全污染物清除：物理轰击与化学分解协同作用，去除有机物、无机物及颗粒，去除率＞99.9%。
深度活化：无方向性等离子体渗透微孔及复杂结构（如螺纹、盲孔），实现三维均匀清洗。
表面性能提升：微米级粗化，接枝-OH/-COOH，接触角110°→20°，附着力提升＞80%。
（B）环保安全与低温工艺
零污染排放：全程零溶剂，无废液/废气，符合RoHS标准，分解为CO₂/H₂O等无害物质。
低温工艺：低温处理（≤50℃）避免热敏材料（如塑料、薄膜）损伤。
（C）经济高效与工业适配
降本增效：单次处理仅需3-10分钟，能耗为传统湿法30%，维护成本降低40%。
工业适配：支持自动化产线集成，适配半导体晶圆清洗、医疗器械灭菌等场景。
全材料兼容：覆盖金属、高分子、陶瓷等材料，应用于半导体、汽车、医疗等10+行业。
（C）智能调控与工艺灵活
智能调控：气体/电场强度/真空度精准匹配，单机实现清洗、活化、蚀刻多功能切换。
2.2 设备技术参数
2.3 设备结构图（以实际为准）
（A）设备尺寸
（B）腔体尺寸
（B）托盘尺寸
3.1 安装环境要求
1) 安装环境要求：环境温度要求在 0-40℃之间、湿度要求为 15%-60%。
2) 电源及功率：供电电网要求：380V，50/60Hz，电网波动±10%，
电网地线符合国际要求、安装设备附近应无强烈电磁信号干扰。
3) 气压接口规格：Φ 10*6.5mm。
4)气体压力要求范围： 0.60MPa～1.00Mpa（ 6Kgf～10Kgf）如气源气压超出 1Mpa（10Kgf），需要外部加设限压阀。如无压缩气体提供，或者压力低于 0.03Mpa（ 0.3Kgf），本机会自动停止工作并报警。
5）设备放置场地：面积预留建设≥1.5m*1.5m,高度≥2m。
3.2 技术培训
设备安装调试完毕后，我司向使用单位操作人员及设备维护人员进行技术交接及操作维护培训，培训合格后方能操作使用该设备。由使用单位主导负责设备安装与调试，并现场对技术人员进行培训。培训两名操作为保养人员，并拟定培训记录。
3.3 售后服务
1)免费为用户提供上门安装及调试服务，保证设备正常运行；
2)为用户提供一年质保服务，质保期免费维修；
3)为用户提供终身维护服务，24 小时电话响应，3个工作日上门维修；
4)后期可根据客户需求，提供硬件、软件升级服务、培训及技术支持；
5)针对仪器设备的特点，为用户在设备的性能、原理、操作要领、维修和保养等方面进行免费培训，一般在安装调试当日进行；
6)为用户提供免费的技术咨询服务，24 小时响应，由我司专业技术人员根据客户咨询的技术问题给出相应解决方案，直到解决客户技术难题。
应用领域
真空等离子设备广泛应用于产品表面活化/清洗、蚀刻、去胶、通过其处理，能够改善材料表面的浸润能力，使多种材料能够进行涂覆、镀等操作，增强粘合力、键合力，同时去除有机污染物、油污或油脂。
北京中科汇束科技有限公司