样品原材料制造于中科院微电子研究所和物理所，掩模板即标准样品上的40μm、20μm、10μm、5μm线距结构使用紫外光刻。SEM标准器是先在单晶硅基片的基底蒸镀一层约20nm厚的金属钛薄膜，图形光刻完毕之后蒸镀约150nm厚的Au，再使用金属玻璃技术处理。标准样品的线距值由德国联邦物理研究所（PTB）使用大范围计量型扫描力显微镜（M-LRSFM）进行测量，测量结果可溯源至米定义计量基准。